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厂商型号

SBSS84LT1G 

产品描述

MOSFET PFET SPCL TR

内部编号

277-SBSS84LT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:5106
1+¥2.4213
10+¥1.8192
100+¥1.0274
500+¥0.6815
1000+¥0.5227
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:5106
1+¥2.4213
10+¥1.8192
100+¥1.0274
500+¥0.6815
1000+¥0.5227
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:7014
1+¥2.5299
10+¥1.6616
100+¥0.7111
1000+¥0.547
3000+¥0.4171
9000+¥0.3692
24000+¥0.3419
45000+¥0.3077
99000+¥0.294
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SBSS84LT1G产品详细规格

规格书 SBSS84LT1G datasheet 规格书
BSS/SBSS84LT1G Datasheet
SBSS84LT1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
系列 *
标准包装 3,000
封装 Reel
工厂包装数量 3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 50 V
晶体管极性 P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3
Qg - Gate Charge 2.2 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
下降时间 1.7 ns
品牌 ON Semiconductor
通道数 1 Channel
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 1 P-Channel
正向跨导 - 闵 50 mS
Id - Continuous Drain Current - 130 mA
Rds On - Drain-Source Resistance 10 Ohms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 12 ns
安装风格 SMD/SMT
典型导通延迟时间 3.6 ns
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 225 mW
上升时间 9.7 ns
技术 Si

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